RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
51
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
51
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2248
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link