RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3911
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link