RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3366
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link