RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2546
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link