RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3597
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link