RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
96
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
4.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
96
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
4.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
1062
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link