RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
48
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
1858
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link