RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2135
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link