RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2816
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link