RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
4322
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link