RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
41
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2362
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link