Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    41 left arrow 43
    Wokół strony 5% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 6.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 10.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 6.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2016 left arrow 1647
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania