RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3272
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link