RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
4124
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link