RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3262
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link