RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2993
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link