RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3446
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link