RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
40
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2822
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link