RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3135
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link