RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2731
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link