RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1633
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link