RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2888
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1600D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link