RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2682
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link