RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3386
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link