RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3467
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link