RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3126
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link