RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2967
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link