RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
4394
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link