RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
40
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2524
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link