RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2284
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link