RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2973
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link