RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2590
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link