RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2732
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link