RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
55
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2185
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link