RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14900
12800
Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
1646
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-CMA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link