RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3296
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link