RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3296
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link