RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3434
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link