RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2464
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link