RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
40
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3689
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link