RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2806
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link