RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2577
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link