RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2786
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link