RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3509
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link