RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
76
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1587
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link