RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
4110
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link