RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2772
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link