RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3436
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link