RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3678
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link