RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3497
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link