RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3367
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link